晶體定向儀：X射線晶體定向儀利用X射線衍射原理，精密快速地測定天然和人造單晶（壓電晶體，光學晶體，激光晶體，半導體晶體）的切割角度，與切割機配套可用于上述晶體的定向切割，是精密加工制造晶體器件*的儀器。該儀器廣泛應用于晶體材料的研究，加工，制造行業(yè)。

      各向異性是晶體的本征特性，即晶體在不同方向上具有不同的光學、電學、力學等物理性能，在應用時，根據使用目的不同， 必須對晶體進行不同的定向切割。例如，要制作性能優(yōu)異的Si 壓力傳感器 ，必須利用 Si 單晶在( 001) 面上的 110 方向壓阻效應zui大的特性， 定向切割出 Si( 001) 面， 并在此面上標出 110 方向， 在此面上， 沿著 110 方向制作電阻。 AgGaSe 2 晶體 一般采用自發(fā)成核 Bridgman 方法生長， 生長出的晶錠無明顯方向特征， 要研究 AgGaSe 2 晶體對粒子的探測性能， 必須定向切割出( 001) 面。

     晶體定向方法很多, 如光象法 、錐光圖法、勞埃定向法 以及近年來利用定向儀發(fā)展的幾種快速定向法等. 光象法、錐光圖法應用非常局限, 精度很差, 且無法定向切割出任意晶面. 勞埃法雖然很經典、適用性廣, 但定向過程十分繁瑣、費時, 對操作者要求有較豐富的經驗. 利用定向儀的幾種快速定向法, 具有較強的實用性, 但要定向切割出任意晶面, 其操作過程也很繁瑣。

      我們發(fā)展了一種僅需已知晶體某一晶面，即能定向切割出所需任意晶面( 或晶向) 的方法，定向切割操作快速、準確、簡捷。 在實際工作中，已知晶體的某一晶面是普遍存在的事實，例如提拉法、水溶液法、水熱法和熔鹽法生長的晶體，至少已知某一晶面。無籽晶的焰熔法和 Bridgman 等法生長的晶體一般雖無方向特征， 但因解理性是晶體的基本屬性， 很容易從晶體上得到易解理面。焰熔法生長的紅寶石極易得到其解理面( 1102) 或( 1120) ， 用 Brigdman 方法生長的AgGaSe2 晶體極易得到( 101) 或( 112) 解理面。 因而，此法在實際工作中具有很強的實用性和推廣價值。